SISS32DN-T1-GE3
MOSFET N-CHAN 80-V POWERPAK 1212
부품 번호
SISS32DN-T1-GE3
제조사/브랜드
시리즈
TrenchFET® Gen IV
부품현황
Active
기술
MOSFET (Metal Oxide)
작동 온도
-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형
Surface Mount
패키지/케이스
PowerPAK® 1212-8S
공급자 장치 패키지
PowerPAK® 1212-8S
전력 소비(최대)
5W (Ta), 65.7W (Tc)
FET 유형
N-Channel
드레인-소스 전압(Vdss)
80V
Vgs(일)(최대) @ Id
3.8V @ 250µA
게이트 충전(Qg)(최대) @ Vgs
42nC @ 10V
입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds
1930pF @ 40V
Vgs(최대)
±20V
구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐)
7.5V, 10V
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재고 48570 PCS
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