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SISS65DN-T1-GE3

MOSFET P-CHAN 30V PPAK 1212-8S

부품 번호

SISS65DN-T1-GE3

제조사/브랜드

Vishay Siliconix

시리즈

TrenchFET® Gen III

부품현황

Active

기술

MOSFET (Metal Oxide)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지/케이스

PowerPAK® 1212-8S

공급자 장치 패키지

PowerPAK® 1212-8S

전력 소비(최대)

5.1W (Ta), 65.8W (Tc)

FET 유형

P-Channel

드레인-소스 전압(Vdss)

30V

전류 - 연속 배수(Id) @ 25°C

25.9A (Ta), 94A (Tc)

Rds On(최대) @ Id, Vgs

4.6 mOhm @ 15A, 10V

Vgs(일)(최대) @ Id

2.3V @ 250µA

게이트 충전(Qg)(최대) @ Vgs

138nC @ 10V

입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds

4930pF @ 15V

Vgs(최대)

±20V

구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐)

4.5V, 10V

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재고 12904 PCS

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