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데이터시트

SISS72DN-T1-GE3

MOSFET N-CH 150V

부품 번호

SISS72DN-T1-GE3

제조사/브랜드

Vishay Siliconix

시리즈

TrenchFET®

부품현황

Active

기술

MOSFET (Metal Oxide)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지/케이스

PowerPAK® 1212-8S

공급자 장치 패키지

PowerPAK® 1212-8S

전력 소비(최대)

5.1W (Ta), 65.8W (Tc)

FET 유형

N-Channel

드레인-소스 전압(Vdss)

150V

전류 - 연속 배수(Id) @ 25°C

7A (Ta), 25.5A (Tc)

Rds On(최대) @ Id, Vgs

42 mOhm @ 7A, 10V

Vgs(일)(최대) @ Id

4V @ 250µA

게이트 충전(Qg)(최대) @ Vgs

22nC @ 10V

입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds

550pF @ 75V

Vgs(최대)

±20V

구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐)

10V

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재고 16731 PCS

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