SIZ998DT-T1-GE3
MOSFET 2 N-CH 30V 8-POWERPAIR
부품 번호
SIZ998DT-T1-GE3
제조사/브랜드
시리즈
TrenchFET®
부품현황
Active
포장
Cut Tape (CT)
작동 온도
-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형
Surface Mount
패키지/케이스
8-PowerWDFN
전력 - 최대
20.2W, 32.9W
공급자 장치 패키지
8-PowerPair®
FET 유형
2 N-Channel (Dual), Schottky
FET 기능
Standard
드레인-소스 전압(Vdss)
30V
전류 - 연속 배수(Id) @ 25°C
20A (Tc), 60A (Tc)
Rds On(최대) @ Id, Vgs
6.7 mOhm @ 15A, 10V, 2.8 mOhm @ 19A, 10V
Vgs(일)(최대) @ Id
2.2V @ 250µA
게이트 충전(Qg)(최대) @ Vgs
8.1nC @ 4.5V, 19.8nC @ 4.5V
입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds
930pF @ 15V, 2620pF @ 15V
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