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SQS415ENW-T1_GE3

SQS415ENW-T1_GE3

MOSFET P-CH 40V PPAK 1212-8W
부품 번호
SQS415ENW-T1_GE3
제조사/브랜드
시리즈
Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
부품현황
Active
기술
MOSFET (Metal Oxide)
작동 온도
-55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형
Surface Mount
패키지/케이스
PowerPAK® 1212-8W
공급자 장치 패키지
PowerPAK® 1212-8W
전력 소비(최대)
62.5W (Tc)
FET 유형
P-Channel
드레인-소스 전압(Vdss)
40V
전류 - 연속 배수(Id) @ 25°C
16A (Tc)
Rds On(최대) @ Id, Vgs
16.1 mOhm @ 12A, 10V
Vgs(일)(최대) @ Id
2.5V @ 250µA
게이트 충전(Qg)(최대) @ Vgs
82nC @ 10V
입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds
4825pF @ 25V
Vgs(최대)
±20V
구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐)
4.5V, 10V
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