onsemi (Ansemi)
이미지는 예시일 수 있습니다.
제품 세부사항은 사양을 확인하세요.
NGTD20T120F2WP
Trench Field Stop 1.2kV IGBT 1200V 20A FS2 Die
범주
Transistor/MOS tube/transistor > IGBT tube/module
설명하다
Utilizing a durable and cost-effective field-stop II trench structure, this insulated-gate bipolar transistor (IGBT) provides excellent performance in demanding switching applications and also offers low on-state voltage and lowest switching losses .
견적요청
모든 필수 필드를 작성하고
제출을 클릭하세요. 12시간 이내에 이메일로 연락드리겠습니다. 질문이 있으신 경우
[email protected] 에게 메시지를 남기거나 이메일을 보내주시면 최대한 빨리 답변해 드리겠습니다.
재고 91492 PCS