onsemi (Ansemi)
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SS12
20V 1A 500mV@1A 1A 20V/40V Schottky diode
범주
diode > Schottky diode
설명하다
...Using the Schottky diode potential barrier principle, a large-area metal-silicon power diode is used. Advanced geometries employ oxide passivation and epitaxial structures with metal-covered contacts. The device is suitable for low-voltage, high-frequency rectification, or applications employing freewheeling and polarity protection diodes, where compact size and weight are critical to the system.
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재고 93708 PCS