GA100JT12-227
TRANS SJT 1200V 160A SOT227
부품 번호
GA100JT12-227
제조사/브랜드
시리즈
-
부품현황
Active
포장
Tube
기술
SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
작동 온도
-55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형
Chassis Mount
패키지/케이스
SOT-227-4, miniBLOC
공급자 장치 패키지
SOT-227
전력 소비(최대)
535W (Tc)
FET 유형
-
FET 기능
-
드레인-소스 전압(Vdss)
1200V
전류 - 연속 배수(Id) @ 25°C
160A (Tc)
Rds On(최대) @ Id, Vgs
10 mOhm @ 100A
Vgs(일)(최대) @ Id
-
게이트 충전(Qg)(최대) @ Vgs
-
입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds
14400pF @ 800V
구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐)
-
Vgs(최대)
-
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재고 49248 PCS
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