GA50JT06-258
TRANS SJT 600V 100A
부품 번호
GA50JT06-258
제조사/브랜드
시리즈
-
부품현황
Active
포장
Bulk
기술
SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
작동 온도
-55°C ~ 225°C (TJ)
장착 유형
Through Hole
패키지/케이스
TO-258-3, TO-258AA
공급자 장치 패키지
TO-258
전력 소비(최대)
769W (Tc)
FET 유형
-
FET 기능
-
드레인-소스 전압(Vdss)
600V
전류 - 연속 배수(Id) @ 25°C
100A (Tc)
Rds On(최대) @ Id, Vgs
25 mOhm @ 50A
Vgs(일)(최대) @ Id
-
게이트 충전(Qg)(최대) @ Vgs
-
입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds
-
구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐)
-
Vgs(최대)
-
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재고 45829 PCS
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