HTNFET-T
MOSFET N-CH 55V 4-PIN
부품 번호
HTNFET-T
시리즈
HTMOS™
부품현황
Active
포장
Bulk
기술
MOSFET (Metal Oxide)
작동 온도
-55°C ~ 225°C (TJ)
장착 유형
Through Hole
패키지/케이스
4-SIP
공급자 장치 패키지
4-Power Tab
전력 소비(최대)
50W (Tj)
FET 유형
N-Channel
FET 기능
-
드레인-소스 전압(Vdss)
55V
전류 - 연속 배수(Id) @ 25°C
-
Rds On(최대) @ Id, Vgs
400 mOhm @ 100mA, 5V
Vgs(일)(최대) @ Id
2.4V @ 100µA
게이트 충전(Qg)(최대) @ Vgs
4.3nC @ 5V
입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds
290pF @ 28V
구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐)
5V
Vgs(최대)
10V
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재고 37217 PCS
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