BSB104N08NP3GXUSA1
MOSFET N-CH 80V 13A 2WDSON
부품 번호
BSB104N08NP3GXUSA1
제조사/브랜드
시리즈
OptiMOS™
부품현황
Active
포장
Tape & Reel (TR)
기술
MOSFET (Metal Oxide)
작동 온도
-40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형
Surface Mount
패키지/케이스
3-WDSON
공급자 장치 패키지
MG-WDSON-2, CanPAK M™
전력 소비(최대)
2.8W (Ta), 42W (Tc)
FET 유형
N-Channel
FET 기능
-
드레인-소스 전압(Vdss)
80V
전류 - 연속 배수(Id) @ 25°C
13A (Ta), 50A (Tc)
Rds On(최대) @ Id, Vgs
10.4 mOhm @ 10A, 10V
Vgs(일)(최대) @ Id
3.5V @ 40µA
게이트 충전(Qg)(최대) @ Vgs
31nC @ 10V
입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds
2100pF @ 40V
구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐)
10V
Vgs(최대)
±20V
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재고 35718 PCS
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