BUZ30AH3045AATMA1
MOSFET N-CH 200V 21A TO-263
부품 번호
BUZ30AH3045AATMA1
제조사/브랜드
시리즈
SIPMOS®
부품현황
Active
포장
Tape & Reel (TR)
기술
MOSFET (Metal Oxide)
작동 온도
-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형
Surface Mount
패키지/케이스
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
공급자 장치 패키지
D²PAK (TO-263AB)
전력 소비(최대)
125W (Tc)
FET 유형
N-Channel
FET 기능
-
드레인-소스 전압(Vdss)
200V
전류 - 연속 배수(Id) @ 25°C
21A (Tc)
Rds On(최대) @ Id, Vgs
130 mOhm @ 13.5A, 10V
Vgs(일)(최대) @ Id
4V @ 1mA
게이트 충전(Qg)(최대) @ Vgs
-
입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds
1900pF @ 25V
구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐)
10V
Vgs(최대)
±20V
견적요청
모든 필수 필드를 작성하고 제출을 클릭하세요. 12시간 이내에 이메일로 연락드리겠습니다. 질문이 있으신 경우 [email protected] 에게 메시지를 남기거나 이메일을 보내주시면 최대한 빨리 답변해 드리겠습니다.
재고 17050 PCS
연락처 정보
관련 상품
키워드BUZ30AH3045AATMA1
BUZ30AH3045AATMA1 전자 부품
BUZ30AH3045AATMA1 매상
BUZ30AH3045AATMA1 공급자
BUZ30AH3045AATMA1 유통 업체
BUZ30AH3045AATMA1 데이터 테이블
BUZ30AH3045AATMA1 사진
BUZ30AH3045AATMA1 가격
BUZ30AH3045AATMA1 권하다
BUZ30AH3045AATMA1 최저 가격
BUZ30AH3045AATMA1 찾다
BUZ30AH3045AATMA1 구매
BUZ30AH3045AATMA1 칩숏