IPT60R080G7XTMA1
MOSFET N-CH 650V 29A HSOF-8
부품 번호
IPT60R080G7XTMA1
제조사/브랜드
시리즈
CoolMOS™ G7
부품현황
Active
포장
Cut Tape (CT)
기술
MOSFET (Metal Oxide)
작동 온도
-40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형
Surface Mount
패키지/케이스
8-PowerSFN
공급자 장치 패키지
PG-HSOF-8
전력 소비(최대)
167W (Tc)
FET 유형
N-Channel
FET 기능
-
드레인-소스 전압(Vdss)
650V
전류 - 연속 배수(Id) @ 25°C
29A (Tc)
Rds On(최대) @ Id, Vgs
80 mOhm @ 9.7A, 10V
Vgs(일)(최대) @ Id
4V @ 490µA
게이트 충전(Qg)(최대) @ Vgs
42nC @ 10V
입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds
1640pF @ 400V
구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐)
10V
Vgs(최대)
±20V
견적요청
모든 필수 필드를 작성하고 제출을 클릭하세요. 12시간 이내에 이메일로 연락드리겠습니다. 질문이 있으신 경우 [email protected] 에게 메시지를 남기거나 이메일을 보내주시면 최대한 빨리 답변해 드리겠습니다.
재고 36522 PCS
연락처 정보
관련 상품
키워드IPT60R080G7XTMA1
IPT60R080G7XTMA1 전자 부품
IPT60R080G7XTMA1 매상
IPT60R080G7XTMA1 공급자
IPT60R080G7XTMA1 유통 업체
IPT60R080G7XTMA1 데이터 테이블
IPT60R080G7XTMA1 사진
IPT60R080G7XTMA1 가격
IPT60R080G7XTMA1 권하다
IPT60R080G7XTMA1 최저 가격
IPT60R080G7XTMA1 찾다
IPT60R080G7XTMA1 구매
IPT60R080G7XTMA1 칩숏