IRG7CH30K10EF
IGBT CHIP WAFER
부품 번호
IRG7CH30K10EF
제조사/브랜드
시리즈
-
부품현황
Active
포장
-
입력 유형
Standard
작동 온도
-40°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형
Surface Mount
패키지/케이스
Die
전력 - 최대
-
공급자 장치 패키지
Die
역복구 시간(trr)
-
전류 - 컬렉터(Ic)(최대)
10A
전압 - 콜렉터 이미터 고장(최대)
1200V
IGBT 유형
Trench
Vce(on)(최대) @ Vge, Ic
2.56V @ 15V, 10A
전류 - 컬렉터 펄스(Icm)
-
스위칭 에너지
-
게이트 요금
4.8nC
Td(켜기/끄기) @ 25°C
10ns/90ns
테스트 조건
600V, 10A, 22 Ohm, 15V
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재고 5496 PCS
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