IRL60S216
MOSFET N-CH 60V 195A
부품 번호
IRL60S216
제조사/브랜드
시리즈
HEXFET®, StrongIRFET™
부품현황
Active
포장
Cut Tape (CT)
기술
MOSFET (Metal Oxide)
작동 온도
-55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형
Surface Mount
패키지/케이스
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
공급자 장치 패키지
D2PAK
전력 소비(최대)
375W (Tc)
FET 유형
N-Channel
FET 기능
-
드레인-소스 전압(Vdss)
60V
전류 - 연속 배수(Id) @ 25°C
195A (Tc)
Rds On(최대) @ Id, Vgs
1.95 mOhm @ 100A, 10V
Vgs(일)(최대) @ Id
2.4V @ 250µA
게이트 충전(Qg)(최대) @ Vgs
255nC @ 4.5V
입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds
15330pF @ 25V
구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐)
4.5V, 10V
Vgs(최대)
±20V
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재고 50853 PCS
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