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IXCY01N90E

IXCY01N90E

MOSFET N-CH 900V 0.25A TO-252
부품 번호
IXCY01N90E
제조사/브랜드
시리즈
-
부품현황
Obsolete
포장
Tube
기술
MOSFET (Metal Oxide)
작동 온도
-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형
Surface Mount
패키지/케이스
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
공급자 장치 패키지
TO-252
전력 소비(최대)
40W (Tc)
FET 유형
N-Channel
FET 기능
-
드레인-소스 전압(Vdss)
900V
전류 - 연속 배수(Id) @ 25°C
250mA (Tc)
Rds On(최대) @ Id, Vgs
80 Ohm @ 50mA, 10V
Vgs(일)(최대) @ Id
5V @ 25µA
게이트 충전(Qg)(최대) @ Vgs
7.5nC @ 10V
입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds
133pF @ 25V
구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐)
10V
Vgs(최대)
±20V
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재고 8079 PCS
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