구입하다 IXYS IXFN100N10S2 MOSFET N-CH 100V 100A SOT-227B

이미지는 예시일 수 있습니다.
제품 세부사항은 사양을 확인하세요.

추가 정보 보기 데이터시트

IXFN100N10S2

MOSFET N-CH 100V 100A SOT-227B

부품 번호

IXFN100N10S2

제조사/브랜드

IXYS

시리즈

HiPerFET™

부품현황

Obsolete

포장

Tube

기술

MOSFET (Metal Oxide)

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지/케이스

SOT-227-4, miniBLOC

공급자 장치 패키지

SOT-227B

전력 소비(최대)

360W (Tc)

FET 유형

N-Channel

FET 기능

드레인-소스 전압(Vdss)

100V

전류 - 연속 배수(Id) @ 25°C

100A (Tc)

Rds On(최대) @ Id, Vgs

15 mOhm @ 500mA, 10V

Vgs(일)(최대) @ Id

4V @ 4mA

게이트 충전(Qg)(최대) @ Vgs

180nC @ 10V

입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds

4500pF @ 25V

구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐)

10V

Vgs(최대)

±20V

견적요청

모든 필수 필드를 작성하고 제출을 클릭하세요. 12시간 이내에 이메일로 연락드리겠습니다. 질문이 있으신 경우 [email protected] 에게 메시지를 남기거나 이메일을 보내주시면 최대한 빨리 답변해 드리겠습니다.

재고 45829 PCS

연락처 정보

관련 상품

IXFN100N10S1

MOSFET N-CH 100V 100A SOT-227B