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IXFN110N85X

MOSFET N-CH 850V 110A SOT227B

부품 번호

IXFN110N85X

제조사/브랜드

IXYS

시리즈

HiPerFET™

부품현황

Active

포장

Tube

기술

MOSFET (Metal Oxide)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지/케이스

SOT-227-4, miniBLOC

공급자 장치 패키지

SOT-227B

전력 소비(최대)

1170W (Tc)

FET 유형

N-Channel

FET 기능

드레인-소스 전압(Vdss)

850V

전류 - 연속 배수(Id) @ 25°C

110A (Tc)

Rds On(최대) @ Id, Vgs

33 mOhm @ 55A, 10V

Vgs(일)(최대) @ Id

5.5V @ 8mA

게이트 충전(Qg)(최대) @ Vgs

425nC @ 10V

입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds

17000pF @ 25V

구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐)

10V

Vgs(최대)

±30V

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재고 50191 PCS

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