IXFN180N10
MOSFET N-CH 100V 180A SOT-227B
부품 번호
IXFN180N10
제조사/브랜드
시리즈
HiPerFET™
부품현황
Active
포장
Tube
기술
MOSFET (Metal Oxide)
작동 온도
-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형
Chassis Mount
패키지/케이스
SOT-227-4, miniBLOC
공급자 장치 패키지
SOT-227B
전력 소비(최대)
600W (Tc)
FET 유형
N-Channel
FET 기능
-
드레인-소스 전압(Vdss)
100V
전류 - 연속 배수(Id) @ 25°C
180A (Tc)
Rds On(최대) @ Id, Vgs
8 mOhm @ 500mA, 10V
Vgs(일)(최대) @ Id
4V @ 8mA
게이트 충전(Qg)(최대) @ Vgs
360nC @ 10V
입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds
9100pF @ 25V
구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐)
10V
Vgs(최대)
±20V
견적요청
모든 필수 필드를 작성하고 제출을 클릭하세요. 12시간 이내에 이메일로 연락드리겠습니다. 질문이 있으신 경우 [email protected] 에게 메시지를 남기거나 이메일을 보내주시면 최대한 빨리 답변해 드리겠습니다.
재고 8786 PCS
연락처 정보
관련 상품
키워드IXFN180N10
IXFN180N10 전자 부품
IXFN180N10 매상
IXFN180N10 공급자
IXFN180N10 유통 업체
IXFN180N10 데이터 테이블
IXFN180N10 사진
IXFN180N10 가격
IXFN180N10 권하다
IXFN180N10 최저 가격
IXFN180N10 찾다
IXFN180N10 구매
IXFN180N10 칩숏