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IXTD4N80P-3J
MOSFET N-CH 800
부품 번호
IXTD4N80P-3J
제조사/브랜드
시리즈
PolarHV™
부품현황
Last Time Buy
포장
-
기술
MOSFET (Metal Oxide)
작동 온도
-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형
Surface Mount
패키지/케이스
Die
공급자 장치 패키지
Die
전력 소비(최대)
100W (Tc)
FET 유형
N-Channel
FET 기능
-
드레인-소스 전압(Vdss)
800V
전류 - 연속 배수(Id) @ 25°C
3.6A (Tc)
Rds On(최대) @ Id, Vgs
3.4 Ohm @ 1.8A, 10V
Vgs(일)(최대) @ Id
5.5V @ 100µA
게이트 충전(Qg)(최대) @ Vgs
14.2nC @ 10V
입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds
750pF @ 25V
구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐)
10V
Vgs(최대)
±30V
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재고 36243 PCS
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