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LSIC1MO120E0160

LSIC1MO120E0160

SIC MOSFET 1200V 22A TO247-3
부품 번호
LSIC1MO120E0160
제조사/브랜드
부품현황
Active
기술
SiCFET (Silicon Carbide)
작동 온도
-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형
Through Hole
패키지/케이스
TO-247-3
공급자 장치 패키지
TO-247-3
전력 소비(최대)
125W (Tc)
FET 유형
N-Channel
드레인-소스 전압(Vdss)
1200V
전류 - 연속 배수(Id) @ 25°C
22A (Tc)
Rds On(최대) @ Id, Vgs
200 mOhm @ 10A, 20V
Vgs(일)(최대) @ Id
4V @ 5mA
게이트 충전(Qg)(최대) @ Vgs
57nC @ 20V
입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds
870pF @ 800V
Vgs(최대)
+22V, -6V
구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐)
20V
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재고 35988 PCS
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