MCMN2012-TP
MOSFET N-CH 20V 12A DFN202
부품 번호
MCMN2012-TP
제조사/브랜드
시리즈
-
부품현황
Active
포장
Cut Tape (CT)
기술
MOSFET (Metal Oxide)
작동 온도
-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형
Surface Mount
패키지/케이스
6-WDFN Exposed Pad
공급자 장치 패키지
DFN2020-6J
전력 소비(최대)
-
FET 유형
N-Channel
FET 기능
-
드레인-소스 전압(Vdss)
20V
전류 - 연속 배수(Id) @ 25°C
12A (Ta)
Rds On(최대) @ Id, Vgs
11 mOhm @ 9.7A, 4.5V
Vgs(일)(최대) @ Id
1V @ 250µA
게이트 충전(Qg)(최대) @ Vgs
32nC @ 5V
입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds
1800pF @ 4V
구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐)
1.2V, 4.5V
Vgs(최대)
±10V
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재고 15797 PCS
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