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PHM12NQ20T,518

PHM12NQ20T,518

MOSFET N-CH 200V 14.4A 8HVSON
부품 번호
PHM12NQ20T,518
제조사/브랜드
시리즈
TrenchMOS™
부품현황
Obsolete
포장
Tape & Reel (TR)
기술
MOSFET (Metal Oxide)
작동 온도
-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형
Surface Mount
패키지/케이스
8-VDFN Exposed Pad
공급자 장치 패키지
8-HVSON (6x5)
전력 소비(최대)
62.5W (Tc)
FET 유형
N-Channel
FET 기능
-
드레인-소스 전압(Vdss)
200V
전류 - 연속 배수(Id) @ 25°C
14.4A (Tc)
Rds On(최대) @ Id, Vgs
130 mOhm @ 12A, 10V
Vgs(일)(최대) @ Id
4V @ 1mA
게이트 충전(Qg)(최대) @ Vgs
26nC @ 10V
입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds
1230pF @ 25V
구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐)
5V, 10V
Vgs(최대)
±20V
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