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5LN01C-TB-E

MOSFET N-CH 50V 100MA 3CP

부품 번호

5LN01C-TB-E

제조사/브랜드

ON Semiconductor

시리즈

부품현황

Last Time Buy

포장

Cut Tape (CT)

기술

MOSFET (Metal Oxide)

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지/케이스

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

공급자 장치 패키지

3-CP

전력 소비(최대)

250mW (Ta)

FET 유형

N-Channel

FET 기능

드레인-소스 전압(Vdss)

50V

전류 - 연속 배수(Id) @ 25°C

100mA (Ta)

Rds On(최대) @ Id, Vgs

7.8 Ohm @ 50mA, 4V

Vgs(일)(최대) @ Id

게이트 충전(Qg)(최대) @ Vgs

1.57nC @ 10V

입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds

6.6pF @ 10V

구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐)

1.5V, 4V

Vgs(최대)

±10V

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재고 25858 PCS

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