ON Semiconductor
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BVSS123LT1G
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BVSS123LT1G

MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23-3
부품 번호
BVSS123LT1G
제조사/브랜드
ON Semiconductor
시리즈
-
부품현황
Active
포장
Tape & Reel (TR)
기술
MOSFET (Metal Oxide)
작동 온도
-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형
Surface Mount
패키지/케이스
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지
SOT-23-3
전력 소비(최대)
225mW (Ta)
FET 유형
N-Channel
FET 기능
-
드레인-소스 전압(Vdss)
100V
전류 - 연속 배수(Id) @ 25°C
170mA (Ta)
Rds On(최대) @ Id, Vgs
6 Ohm @ 100mA, 10V
Vgs(일)(최대) @ Id
2.8V @ 1mA
게이트 충전(Qg)(최대) @ Vgs
-
입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds
20pF @ 25V
구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐)
10V
Vgs(최대)
±20V
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