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EFC4618R-P-TR
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EFC4618R-P-TR

MOSFET 2N-CH EFCP1818
부품 번호
EFC4618R-P-TR
제조사/브랜드
ON Semiconductor
시리즈
-
부품현황
Obsolete
포장
Tape & Reel (TR)
작동 온도
150°C (TJ)
장착 유형
Surface Mount
패키지/케이스
4-XBGA, 4-FCBGA
전력 - 최대
1.6W
공급자 장치 패키지
EFCP1313-4CC-037
FET 유형
2 N-Channel (Dual) Common Drain
FET 기능
Logic Level Gate, 2.5V Drive
드레인-소스 전압(Vdss)
-
전류 - 연속 배수(Id) @ 25°C
-
Rds On(최대) @ Id, Vgs
-
Vgs(일)(최대) @ Id
-
게이트 충전(Qg)(최대) @ Vgs
25.4nC @ 4.5V
입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds
-
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