EFC6601R-TR
MOSFET 2N-CH EFCP
부품 번호
EFC6601R-TR
제조사/브랜드
시리즈
-
부품현황
Active
포장
Cut Tape (CT)
작동 온도
150°C (TJ)
장착 유형
Surface Mount
패키지/케이스
6-XFBGA, FCBGA
전력 - 최대
2W
공급자 장치 패키지
EFCP2718-6CE-020
FET 유형
2 N-Channel (Dual)
FET 기능
Logic Level Gate, 2.5V Drive
드레인-소스 전압(Vdss)
-
전류 - 연속 배수(Id) @ 25°C
-
Rds On(최대) @ Id, Vgs
-
Vgs(일)(최대) @ Id
-
게이트 충전(Qg)(최대) @ Vgs
48nC @ 4.5V
입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds
-
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재고 15630 PCS
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