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FQT7N10LTF

FQT7N10LTF

MOSFET N-CH 100V 1.7A SOT-223
부품 번호
FQT7N10LTF
제조사/브랜드
시리즈
QFET®
부품현황
Active
포장
Digi-Reel®
기술
MOSFET (Metal Oxide)
작동 온도
-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형
Surface Mount
패키지/케이스
TO-261-4, TO-261AA
공급자 장치 패키지
SOT-223-4
전력 소비(최대)
2W (Tc)
FET 유형
N-Channel
FET 기능
-
드레인-소스 전압(Vdss)
100V
전류 - 연속 배수(Id) @ 25°C
1.7A (Tc)
Rds On(최대) @ Id, Vgs
350 mOhm @ 850mA, 10V
Vgs(일)(최대) @ Id
2V @ 250µA
게이트 충전(Qg)(최대) @ Vgs
6nC @ 5V
입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds
290pF @ 25V
구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐)
5V, 10V
Vgs(최대)
±20V
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재고 42545 PCS
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