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NDD60N550U1-1G

MOSFET N-CH 600V 8.2A IPAK-4

부품 번호

NDD60N550U1-1G

제조사/브랜드

ON Semiconductor

시리즈

부품현황

Last Time Buy

포장

Tube

기술

MOSFET (Metal Oxide)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지/케이스

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

공급자 장치 패키지

IPAK (TO-251)

전력 소비(최대)

94W (Tc)

FET 유형

N-Channel

FET 기능

드레인-소스 전압(Vdss)

600V

전류 - 연속 배수(Id) @ 25°C

8.2A (Tc)

Rds On(최대) @ Id, Vgs

550 mOhm @ 4A, 10V

Vgs(일)(최대) @ Id

4V @ 250µA

게이트 충전(Qg)(최대) @ Vgs

18nC @ 10V

입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds

540pF @ 50V

구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐)

10V

Vgs(최대)

±25V

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재고 32174 PCS

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