FJ4B01100L1
CSP SINGLE P-CHANNEL MOSFET
부품 번호
FJ4B01100L1
제조사/브랜드
부품현황
Active
기술
MOSFET (Metal Oxide)
작동 온도
-40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형
Surface Mount
패키지/케이스
4-XFLGA, CSP
공급자 장치 패키지
XLGA004-W-0808-RA01
전력 소비(최대)
360mW (Ta)
FET 유형
P-Channel
드레인-소스 전압(Vdss)
12V
전류 - 연속 배수(Id) @ 25°C
2.2A (Ta)
Rds On(최대) @ Id, Vgs
74 mOhm @ 1.5A, 4.5V
Vgs(일)(최대) @ Id
1V @ 1.2mA
게이트 충전(Qg)(최대) @ Vgs
7nC @ 4.5V
입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds
459pF @ 10V
Vgs(최대)
±8V
구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐)
1.5V, 4.5V
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