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QJD1210SA1

QJD1210SA1

MOSFET 2N-CH 1200V 100A SIC
부품 번호
QJD1210SA1
제조사/브랜드
시리즈
-
부품현황
Obsolete
포장
Bulk
작동 온도
-40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형
Chassis Mount
패키지/케이스
Module
전력 - 최대
520W
공급자 장치 패키지
Module
FET 유형
2 N-Channel (Dual)
FET 기능
Standard
드레인-소스 전압(Vdss)
1200V (1.2kV)
전류 - 연속 배수(Id) @ 25°C
100A
Rds On(최대) @ Id, Vgs
17 mOhm @ 100A, 15V
Vgs(일)(최대) @ Id
1.6V @ 34mA
게이트 충전(Qg)(최대) @ Vgs
330nC @ 15V
입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds
8200pF @ 10V
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재고 23578 PCS
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