HS8K11TB
MOSFET 2N-CH 30V 7A/11A HSML
부품 번호
HS8K11TB
제조사/브랜드
시리즈
-
부품현황
Active
포장
Tape & Reel (TR)
작동 온도
150°C (TJ)
장착 유형
Surface Mount
패키지/케이스
8-UDFN Exposed Pad
전력 - 최대
2W
공급자 장치 패키지
HSML3030L10
FET 유형
2 N-Channel (Dual)
FET 기능
Logic Level Gate
드레인-소스 전압(Vdss)
30V
전류 - 연속 배수(Id) @ 25°C
7A, 11A
Rds On(최대) @ Id, Vgs
17.9 mOhm @ 7A, 10V
Vgs(일)(최대) @ Id
2.5V @ 1mA
게이트 충전(Qg)(최대) @ Vgs
11.1nC @ 10V
입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds
500pF @ 15V
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재고 54724 PCS
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