RQ1C075UNTR
MOSFET N-CH 20V 7.5A TSMT8
부품 번호
RQ1C075UNTR
제조사/브랜드
시리즈
-
부품현황
Active
포장
Cut Tape (CT)
기술
MOSFET (Metal Oxide)
작동 온도
150°C (TJ)
장착 유형
Surface Mount
패키지/케이스
8-SMD, Flat Lead
공급자 장치 패키지
TSMT8
전력 소비(최대)
700mW (Ta)
FET 유형
N-Channel
FET 기능
-
드레인-소스 전압(Vdss)
20V
전류 - 연속 배수(Id) @ 25°C
7.5A (Ta)
Rds On(최대) @ Id, Vgs
16 mOhm @ 7.5A, 4.5V
Vgs(일)(최대) @ Id
1V @ 1mA
게이트 충전(Qg)(최대) @ Vgs
18nC @ 4.5V
입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds
1400pF @ 10V
구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐)
1.5V, 4.5V
Vgs(최대)
±10V
견적요청
모든 필수 필드를 작성하고 제출을 클릭하세요. 12시간 이내에 이메일로 연락드리겠습니다. 질문이 있으신 경우 [email protected] 에게 메시지를 남기거나 이메일을 보내주시면 최대한 빨리 답변해 드리겠습니다.
재고 12032 PCS
연락처 정보
관련 상품
키워드RQ1C075UNTR
RQ1C075UNTR 전자 부품
RQ1C075UNTR 매상
RQ1C075UNTR 공급자
RQ1C075UNTR 유통 업체
RQ1C075UNTR 데이터 테이블
RQ1C075UNTR 사진
RQ1C075UNTR 가격
RQ1C075UNTR 권하다
RQ1C075UNTR 최저 가격
RQ1C075UNTR 찾다
RQ1C075UNTR 구매
RQ1C075UNTR 칩숏