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RS1E130GNTB

MOSFET N-CH 30V 13A 8-HSOP

부품 번호

RS1E130GNTB

제조사/브랜드

Rohm Semiconductor

시리즈

부품현황

Active

포장

Cut Tape (CT)

기술

MOSFET (Metal Oxide)

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지/케이스

8-PowerTDFN

공급자 장치 패키지

8-HSOP

전력 소비(최대)

3W (Ta), 22.2W (Tc)

FET 유형

N-Channel

FET 기능

드레인-소스 전압(Vdss)

30V

전류 - 연속 배수(Id) @ 25°C

13A (Ta)

Rds On(최대) @ Id, Vgs

11.7 mOhm @ 13A, 10V

Vgs(일)(최대) @ Id

2.5V @ 1mA

게이트 충전(Qg)(최대) @ Vgs

7.9nC @ 10V

입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds

420pF @ 15V

구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐)

4.5V, 10V

Vgs(최대)

±20V

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재고 48249 PCS

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