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RUC002N05T116

RUC002N05T116

MOSFET N-CH 50V 0.2A SST3
부품 번호
RUC002N05T116
제조사/브랜드
시리즈
-
부품현황
Active
포장
Cut Tape (CT)
기술
MOSFET (Metal Oxide)
작동 온도
150°C (TJ)
장착 유형
Surface Mount
패키지/케이스
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지
SST3
전력 소비(최대)
200mW (Ta)
FET 유형
N-Channel
FET 기능
-
드레인-소스 전압(Vdss)
50V
전류 - 연속 배수(Id) @ 25°C
200mA (Ta)
Rds On(최대) @ Id, Vgs
2.2 Ohm @ 200mA, 4.5V
Vgs(일)(최대) @ Id
1V @ 1mA
게이트 충전(Qg)(최대) @ Vgs
-
입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds
25pF @ 10V
구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐)
1.2V, 4.5V
Vgs(최대)
±8V
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재고 20312 PCS
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