US6M11TR
MOSFET N/P-CH 20V/12V TUMT6
부품 번호
US6M11TR
제조사/브랜드
시리즈
-
부품현황
Active
포장
Cut Tape (CT)
작동 온도
150°C (TJ)
장착 유형
Surface Mount
패키지/케이스
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
전력 - 최대
1W
공급자 장치 패키지
UMT6
FET 유형
N and P-Channel
FET 기능
Logic Level Gate
드레인-소스 전압(Vdss)
20V, 12V
전류 - 연속 배수(Id) @ 25°C
1.5A, 1.3A
Rds On(최대) @ Id, Vgs
180 mOhm @ 1.5A, 4.5V
Vgs(일)(최대) @ Id
1V @ 1mA
게이트 충전(Qg)(최대) @ Vgs
1.8nC @ 4.5V
입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds
110pF @ 10V
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재고 13406 PCS
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