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TH58BYG2S3HBAI6
IC EEPROM 4GBIT 25NS 67FBGA
부품 번호
TH58BYG2S3HBAI6
제조사/브랜드
시리즈
Benand™
부품현황
Active
포장
Tray
기술
FLASH - NAND (SLC)
작동 온도
-40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형
Surface Mount
패키지/케이스
67-VFBGA
공급자 장치 패키지
67-VFBGA (6.5x8)
전압 - 공급
1.7 V ~ 1.95 V
메모리 유형
Non-Volatile
메모리 크기
4Gb (512M x 8)
접속시간
25ns
클록 주파수
-
메모리 포맷
Flash
쓰기 주기 시간 - 단어, 페이지
25ns
메모리 인터페이스
Parallel
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재고 16802 PCS
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