TPN2010FNH,L1Q
MOSFET N-CH 250V 5.6A 8TSON
부품 번호
TPN2010FNH,L1Q
시리즈
U-MOSVIII-H
부품현황
Active
포장
Cut Tape (CT)
기술
MOSFET (Metal Oxide)
작동 온도
150°C (TJ)
장착 유형
Surface Mount
패키지/케이스
8-PowerVDFN
공급자 장치 패키지
8-TSON Advance (3.3x3.3)
전력 소비(최대)
700mW (Ta), 39W (Tc)
FET 유형
N-Channel
FET 기능
-
드레인-소스 전압(Vdss)
250V
전류 - 연속 배수(Id) @ 25°C
5.6A (Ta)
Rds On(최대) @ Id, Vgs
198 mOhm @ 2.8A, 10V
Vgs(일)(최대) @ Id
4V @ 200µA
게이트 충전(Qg)(최대) @ Vgs
7nC @ 10V
입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds
600pF @ 100V
구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐)
10V
Vgs(최대)
±20V
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재고 45767 PCS
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