TP65H050WS
MOSFET N-CH 650V 34A TO247-3
부품 번호
TP65H050WS
제조사/브랜드
부품현황
Active
기술
GaNFET (Gallium Nitride)
작동 온도
-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형
Through Hole
패키지/케이스
TO-247-3
공급자 장치 패키지
TO-247-3
전력 소비(최대)
119W (Tc)
FET 유형
N-Channel
드레인-소스 전압(Vdss)
650V
전류 - 연속 배수(Id) @ 25°C
34A (Tc)
Rds On(최대) @ Id, Vgs
60 mOhm @ 22A, 10V
Vgs(일)(최대) @ Id
4.8V @ 700µA
게이트 충전(Qg)(최대) @ Vgs
24nC @ 10V
입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds
1000pF @ 400V
Vgs(최대)
±20V
구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐)
10V
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재고 42915 PCS
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