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SI4100DY-T1-E3

MOSFET N-CH 100V 6.8A 8-SOIC

부품 번호

SI4100DY-T1-E3

제조사/브랜드

Vishay Siliconix

시리즈

TrenchFET®

부품현황

Active

포장

Cut Tape (CT)

기술

MOSFET (Metal Oxide)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지/케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SO

전력 소비(최대)

2.5W (Ta), 6W (Tc)

FET 유형

N-Channel

FET 기능

드레인-소스 전압(Vdss)

100V

전류 - 연속 배수(Id) @ 25°C

6.8A (Tc)

Rds On(최대) @ Id, Vgs

63 mOhm @ 4.4A, 10V

Vgs(일)(최대) @ Id

4.5V @ 250µA

게이트 충전(Qg)(최대) @ Vgs

20nC @ 10V

입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds

600pF @ 50V

구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐)

6V, 10V

Vgs(최대)

±20V

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재고 26047 PCS

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