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데이터시트

SI4800BDY-T1-E3

MOSFET N-CH 30V 6.5A 8-SOIC

부품 번호

SI4800BDY-T1-E3

제조사/브랜드

Vishay Siliconix

시리즈

TrenchFET®

부품현황

Active

포장

Cut Tape (CT)

기술

MOSFET (Metal Oxide)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지/케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SO

전력 소비(최대)

1.3W (Ta)

FET 유형

N-Channel

FET 기능

드레인-소스 전압(Vdss)

30V

전류 - 연속 배수(Id) @ 25°C

6.5A (Ta)

Rds On(최대) @ Id, Vgs

18.5 mOhm @ 9A, 10V

Vgs(일)(최대) @ Id

1.8V @ 250µA

게이트 충전(Qg)(최대) @ Vgs

13nC @ 5V

입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds

구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐)

4.5V, 10V

Vgs(최대)

±25V

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재고 7059 PCS

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