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데이터시트

SI5401DC-T1-E3

MOSFET P-CH 20V 5.2A 1206-8

부품 번호

SI5401DC-T1-E3

제조사/브랜드

Vishay Siliconix

시리즈

TrenchFET®

부품현황

Obsolete

포장

Cut Tape (CT)

기술

MOSFET (Metal Oxide)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지/케이스

8-SMD, Flat Lead

공급자 장치 패키지

1206-8 ChipFET™

전력 소비(최대)

1.3W (Ta)

FET 유형

P-Channel

FET 기능

드레인-소스 전압(Vdss)

20V

전류 - 연속 배수(Id) @ 25°C

5.2A (Ta)

Rds On(최대) @ Id, Vgs

32 mOhm @ 5.2A, 4.5V

Vgs(일)(최대) @ Id

1V @ 250µA

게이트 충전(Qg)(최대) @ Vgs

25nC @ 4.5V

입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds

구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐)

1.8V, 4.5V

Vgs(최대)

±8V

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