SI7900AEDN-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 20V 6A PPAK 1212-8
부품 번호
SI7900AEDN-T1-GE3
제조사/브랜드
시리즈
TrenchFET®
부품현황
Active
포장
Cut Tape (CT)
작동 온도
-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형
Surface Mount
패키지/케이스
PowerPAK® 1212-8 Dual
전력 - 최대
1.5W
공급자 장치 패키지
PowerPAK® 1212-8 Dual
FET 유형
2 N-Channel (Dual) Common Drain
FET 기능
Logic Level Gate
드레인-소스 전압(Vdss)
20V
전류 - 연속 배수(Id) @ 25°C
6A
Rds On(최대) @ Id, Vgs
26 mOhm @ 8.5A, 4.5V
Vgs(일)(최대) @ Id
900mV @ 250µA
게이트 충전(Qg)(최대) @ Vgs
16nC @ 4.5V
입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds
-
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재고 27144 PCS
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