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SIDR392DP-T1-GE3

MOSFET N-CHAN 30V

부품 번호

SIDR392DP-T1-GE3

제조사/브랜드

Vishay Siliconix

시리즈

TrenchFET® Gen IV

부품현황

Active

포장

Tape & Reel (TR)

기술

MOSFET (Metal Oxide)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지/케이스

PowerPAK® SO-8

공급자 장치 패키지

PowerPAK® SO-8DC

전력 소비(최대)

6.25W (Ta), 125W (Tc)

FET 유형

N-Channel

FET 기능

드레인-소스 전압(Vdss)

30V

전류 - 연속 배수(Id) @ 25°C

82A (Ta), 100A (Tc)

Rds On(최대) @ Id, Vgs

0.62 mOhm @ 20A, 10V

Vgs(일)(최대) @ Id

2.2V @ 250µA

게이트 충전(Qg)(최대) @ Vgs

188nC @ 10V

입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds

9530pF @ 15V

구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐)

4.5V, 10V

Vgs(최대)

+20V, -16V

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재고 28333 PCS

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