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SIHP11N80E-GE3

MOSFET N-CH 800V 12A TO220AB

부품 번호

SIHP11N80E-GE3

제조사/브랜드

Vishay Siliconix

시리즈

부품현황

Active

포장

Tube

기술

MOSFET (Metal Oxide)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지/케이스

TO-220-3

공급자 장치 패키지

TO-220AB

전력 소비(최대)

179W (Tc)

FET 유형

N-Channel

FET 기능

드레인-소스 전압(Vdss)

800V

전류 - 연속 배수(Id) @ 25°C

12A (Tc)

Rds On(최대) @ Id, Vgs

440 mOhm @ 5.5A, 10V

Vgs(일)(최대) @ Id

4V @ 250µA

게이트 충전(Qg)(최대) @ Vgs

88nC @ 10V

입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds

1670pF @ 100V

구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐)

10V

Vgs(최대)

±30V

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재고 32780 PCS

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