SIZ200DT-T1-GE3
MOSFET N-CH DUAL 30V
부품 번호
SIZ200DT-T1-GE3
제조사/브랜드
시리즈
TrenchFET® Gen IV
부품현황
Active
작동 온도
-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형
Surface Mount
패키지/케이스
8-PowerWDFN
전력 - 최대
4.3W (Ta), 33W (Tc)
공급자 장치 패키지
8-PowerPair® (3.3x3.3)
FET 유형
2 N-Channel (Dual)
FET 기능
Standard
드레인-소스 전압(Vdss)
30V
전류 - 연속 배수(Id) @ 25°C
22A (Ta), 61A (Tc), 22A (Ta), 60A (Tc)
Rds On(최대) @ Id, Vgs
5.5 mOhm @ 10A, 10V, 5.8 mOhm @ 10A, 10V
Vgs(일)(최대) @ Id
2.4V @ 250µA
게이트 충전(Qg)(최대) @ Vgs
28nC @ 10V, 30nC @ 10V
입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds
1510pF @ 15V, 1600pF @ 15V
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재고 24914 PCS
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