SQ2301ES-T1_GE3
MOSFET P-CH 20V 3.9A TO236
부품 번호
SQ2301ES-T1_GE3
제조사/브랜드
시리즈
Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
부품현황
Active
포장
Cut Tape (CT)
기술
MOSFET (Metal Oxide)
작동 온도
-55°C ~ 175°C (TA)
장착 유형
Surface Mount
패키지/케이스
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지
TO-236 (SOT-23)
전력 소비(최대)
3W (Tc)
FET 유형
P-Channel
FET 기능
-
드레인-소스 전압(Vdss)
20V
전류 - 연속 배수(Id) @ 25°C
3.9A (Tc)
Rds On(최대) @ Id, Vgs
120 mOhm @ 2.8A, 4.5V
Vgs(일)(최대) @ Id
1.5V @ 250µA
게이트 충전(Qg)(최대) @ Vgs
8nC @ 4.5V
입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds
425pF @ 10V
구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐)
2.5V, 4.5V
Vgs(최대)
±8V
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