SQJ200EP-T1_GE3
MOSFET 2N-CH 20V 20A/60A PPAK SO
부품 번호
SQJ200EP-T1_GE3
제조사/브랜드
시리즈
Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
부품현황
Active
포장
Cut Tape (CT)
작동 온도
-55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형
Surface Mount
패키지/케이스
PowerPAK® SO-8 Dual
전력 - 최대
27W, 48W
공급자 장치 패키지
PowerPAK® SO-8 Dual Asymmetric
FET 유형
2 N-Channel (Dual)
FET 기능
Standard
드레인-소스 전압(Vdss)
20V
전류 - 연속 배수(Id) @ 25°C
20A, 60A
Rds On(최대) @ Id, Vgs
8.8 mOhm @ 16A, 10V
Vgs(일)(최대) @ Id
2V @ 250µA
게이트 충전(Qg)(최대) @ Vgs
18nC @ 10V
입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds
975pF @ 10V
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재고 37104 PCS
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