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데이터시트

SQM100N10-10_GE3

MOSFET N-CH 100V 100A TO-263

부품 번호

SQM100N10-10_GE3

제조사/브랜드

Vishay Siliconix

시리즈

Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®

부품현황

Active

포장

Digi-Reel®

기술

MOSFET (Metal Oxide)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지/케이스

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

공급자 장치 패키지

TO-263 (D2Pak)

전력 소비(최대)

375W (Tc)

FET 유형

N-Channel

FET 기능

드레인-소스 전압(Vdss)

100V

전류 - 연속 배수(Id) @ 25°C

100A (Tc)

Rds On(최대) @ Id, Vgs

10.5 mOhm @ 30A, 10V

Vgs(일)(최대) @ Id

2.5V @ 250µA

게이트 충전(Qg)(최대) @ Vgs

185nC @ 10V

입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds

8050pF @ 25V

구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐)

4.5V, 10V

Vgs(최대)

±20V

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재고 48412 PCS

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